AUIRF7316QTR INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - AUIRF7316QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 122.4 грн |
| 500+ | 96.29 грн |
| 1000+ | 80.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF7316QTR INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7316QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції AUIRF7316QTR за ціною від 91.8 грн до 213.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRF7316QTR | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET AUTO -30V DUAL P-CH HEXFET 0.042 RDSon |
на замовлення 507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AUIRF7316QTR | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7316QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRF7316QTR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRF7316QTR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| AUIRF7316QTR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
AUIRF7316QTR | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 98mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AUIRF7316QTR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Not For New Designs |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AUIRF7316QTR | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 98mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |