AUIRFB8405 Infineon Technologies
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 182.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFB8405 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 163W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5193 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AUIRFB8405 за ціною від 186.5 грн до 435.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRFB8405 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 163W; TO220AB Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 163W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 107nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A On-state resistance: 2.1mΩ |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRFB8405 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 185A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AUIRFB8405 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 163W; TO220AB Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 163W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 107nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A On-state resistance: 2.1mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRFB8405 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5193 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRFB8405 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 120A |
на замовлення 1366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AUIRFB8405 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 185A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AUIRFB8405 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 185A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AUIRFB8405 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 185A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AUIRFB8405 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 185A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |