AUIRFN8459TR Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 87.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFN8459TR Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 50W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA, Supplier Device Package: PQFN (5x6), Part Status: Active.
Інші пропозиції AUIRFN8459TR за ціною від 79.27 грн до 309.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRFN8459TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
AUIRFN8459TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
AUIRFN8459TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active |
на замовлення 15453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
AUIRFN8459TR | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 40V Dual N Channel HEXFET |
на замовлення 5590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
AUIRFN8459TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
AUIRFN8459TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive 8-Pin QFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
AUIRFN8459TR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 70A Automotive AEC-Q101 8-Pin QFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
AUIRFN8459TR | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 50W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 50W Case: PQFN5X6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
AUIRFN8459TR | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 50W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 50W Case: PQFN5X6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |