AUIRFR5410TRL INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - AUIRFR5410TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 122.4 грн |
| 500+ | 100.78 грн |
| 1000+ | 97.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFR5410TRL INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR5410TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції AUIRFR5410TRL за ціною від 84.94 грн до 207.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRFR5410TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AUIRFR5410TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRFR5410TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AUIRFR5410TRL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR5410TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AUIRFR5410TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRFR5410TRL | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET AUTO -100V 1 P-CH HEXFET 205mOhms |
на замовлення 4360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| AUIRFR5410TRL | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
AUIRFR5410TRL Код товару: 198092 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
AUIRFR5410TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AUIRFR5410TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AUIRFR5410TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |