AUIRFSA8409-7TRL

AUIRFSA8409-7TRL Infineon Technologies


auirfsa8409-7P.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b9bf8114fb Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 523A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+270.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRFSA8409-7TRL Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 523A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AUIRFSA8409-7TRL за ціною від 199.92 грн до 504.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSA8409-7TRL Виробник : INFINEON INFN-S-A0002298781-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFSA8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 523 A, 0.0005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 523A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+364.38 грн
100+ 295.08 грн
500+ 220.73 грн
1000+ 199.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSA8409-7TRL Виробник : Infineon Technologies auirfsa8409-7P.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b9bf8114fb Description: MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 523A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+447.66 грн
10+ 361.61 грн
100+ 292.54 грн
AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSA8409-7TRL Виробник : Infineon Technologies auirfsa8409_7P-1730927.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+478.93 грн
10+ 396.46 грн
25+ 339.44 грн
100+ 278.32 грн
250+ 275 грн
500+ 269.69 грн
800+ 210.57 грн
AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSA8409-7TRL Виробник : INFINEON INFN-S-A0002298781-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFSA8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 523 A, 0.0005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 523A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+504.47 грн
10+ 364.38 грн
100+ 295.08 грн
500+ 220.73 грн
1000+ 199.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSA8409-7TRL Виробник : Infineon Technologies 5206auirfsa8409-7p.pdffileid5546d462533600a4015355b9bf8114fb.pdffilei.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 523A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSA8409-7TRL Виробник : Infineon Technologies 5206auirfsa8409-7p.pdffileid5546d462533600a4015355b9bf8114fb.pdffilei.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 523A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній