AUIRLU3110Z Infineon Technologies
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRLU3110Z Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AUIRLU3110Z
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRLU3110Z | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|
 |
AUIRLU3110Z | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V |
товар відсутній |