B10G2327N55DZ Ampleon USA Inc.
Виробник: Ampleon USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 32V 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-QFN Exposed Pad
Current Rating (Amps): 1.4µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 2.7GHz
Gain: 30dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 20-PQFN (8x8)
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 32 V
Current - Test: 49 mA
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1938.64 грн |
| 10+ | 1721.88 грн |
| 25+ | 1644.48 грн |
| 100+ | 1379.87 грн |
| 250+ | 1316.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B10G2327N55DZ Ampleon USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 32V 20QFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 20-QFN Exposed Pad, Current Rating (Amps): 1.4µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.3GHz ~ 2.7GHz, Gain: 30dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: 20-PQFN (8x8), Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 32 V, Current - Test: 49 mA.
Інші пропозиції B10G2327N55DZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| B10G2327N55DZ | Виробник : Ampleon USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 32V 20QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-QFN Exposed Pad Current Rating (Amps): 1.4µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.3GHz ~ 2.7GHz Gain: 30dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 20-PQFN (8x8) Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 32 V Current - Test: 49 mA |
товар відсутній |