B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 38W; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 38W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 151.27 грн |
| 5+ | 126.62 грн |
| 9+ | 98.95 грн |
| 23+ | 93.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 38W; TO220ISO; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 10A, Power dissipation: 38W, Semiconductor structure: single diode, Case: TO220ISO, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 75A, Max. forward voltage: 1.75V, Leakage current: 20µA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B1D10065KS за ціною від 112.09 грн до 181.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
B1D10065KS | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 38W; TO220ISO; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Power dissipation: 38W Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Kind of package: tube Max. forward impulse current: 75A Max. forward voltage: 1.75V Leakage current: 20µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|