B1D30065TF BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; 31W; TO3PF; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Power dissipation: 31W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Max. forward voltage: 1.62V
Leakage current: 30µA
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; 31W; TO3PF; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Power dissipation: 31W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Max. forward voltage: 1.62V
Leakage current: 30µA
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 439.28 грн |
3+ | 292.64 грн |
8+ | 276.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B1D30065TF BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; 31W; TO3PF; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 15A x2, Max. load current: 30A, Power dissipation: 31W, Semiconductor structure: common cathode; double, Case: TO3PF, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 110A, Max. forward voltage: 1.62V, Leakage current: 30µA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції B1D30065TF за ціною від 318.87 грн до 527.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
B1D30065TF | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; 31W; TO3PF; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 15A x2 Max. load current: 30A Power dissipation: 31W Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO3PF Kind of package: tube Max. forward impulse current: 110A Max. forward voltage: 1.62V Leakage current: 30µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|