BA159G Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 3.84 грн |
| 10000+ | 3.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BA159G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BA159G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.2 V, 250 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.2V, Sperrverzögerungszeit: 250ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BA159, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BA159G за ціною від 1.8 грн до 29.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BA159G | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BA159G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 300 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 300ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 62515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BA159G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1A DO204AL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BA159G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 250ns, 1A, 1000V, Fast Recovery Rectifier |
на замовлення 9189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BA159G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BA159G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.2 V, 250 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 250ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BA159 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BA159G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BA159G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 250ns 2-Pin DO-41 |
товар відсутній |