BC546BRL1G ON Semiconductor


bc546-d.pdf Виробник: ON Semiconductor

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC546BRL1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO92, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції BC546BRL1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC546BRL1G Виробник : ON Semiconductor bc546-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
BC546BRL1G BC546BRL1G Виробник : ON Semiconductor bc546-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
BC546BRL1G Виробник : ON Semiconductor bc546-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
BC546BRL1G BC546BRL1G Виробник : onsemi bc546-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
BC546BRL1G BC546BRL1G Виробник : onsemi bc546-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній