Продукція > NEXPERIA > BC56-10PA-QX
BC56-10PA-QX

BC56-10PA-QX NEXPERIA


BCP56_BCX56_BC56PA.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC56-10PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.65W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.65W
Bauform - Transistor: SOT-1061
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+10.04 грн
500+ 6.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC56-10PA-QX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BC56-10PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.65W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.65W, Bauform - Transistor: SOT-1061, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1A, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC56-10PA-QX за ціною від 6.4 грн до 24.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC56-10PA-QX BC56-10PA-QX Виробник : NEXPERIA BCP56_BCX56_BC56PA.pdf Description: NEXPERIA - BC56-10PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.65W
Bauform - Transistor: SOT-1061
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+24.41 грн
42+ 18.05 грн
100+ 10.04 грн
500+ 6.4 грн
Мінімальне замовлення: 31
BC56-10PA-QX Виробник : NEXPERIA bcp56_ser.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW Automotive AEC-Q101 3-Pin HUSON
товар відсутній
BC56-10PA-QX BC56-10PA-QX Виробник : Nexperia bcp56_ser.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW Automotive 3-Pin HUSON
товар відсутній
BC56-10PA-QX BC56-10PA-QX Виробник : Nexperia USA Inc. BC56PA-Q_SER.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A 3HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 420 mW
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BC56-10PA-QX BC56-10PA-QX Виробник : Nexperia USA Inc. BC56PA-Q_SER.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A 3HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 420 mW
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BC56-10PA-QX BC56-10PA-QX Виробник : Nexperia BC56PA_Q_SER-2937729.pdf Bipolar Transistors - BJT BC56-10PA-Q/SOT1061/HUSON3
товар відсутній