BC807-16LT1G ON Semiconductor
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC807-16LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC807-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC807-16LT1G за ціною від 0.98 грн до 13.3 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC807-16LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC807-16LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC807-16LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC807-16LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC807-16LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 680 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC807-16LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC807-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 55787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC807-16LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC807-16LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC807-16LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 38977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC807-16LT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V PNP |
на замовлення 44989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC807-16LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC807-16LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC807-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 55787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC807-16LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BC807-16LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 BC807-16LT1G TBC80716 ONS кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC807-16LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC807-16LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 78006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC807-16LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BC807-16LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |