Продукція > NEXPERIA > BC807-25QC-QZ
BC807-25QC-QZ

BC807-25QC-QZ NEXPERIA

3388610.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-25QC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807QC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.38 грн
1000+ 2.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC807-25QC-QZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BC807-25QC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC807QC-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC807-25QC-QZ за ціною від 1.72 грн до 22.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC807-25QC-QZ BC807-25QC-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC807QC-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 380 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.29 грн
22+ 12.59 грн
100+ 6.16 грн
500+ 4.82 грн
1000+ 3.35 грн
2000+ 2.9 грн
Мінімальне замовлення: 15
BC807-25QC-QZ BC807-25QC-QZ Виробник : Nexperia BC807QC_Q_SER-2498303.pdf Bipolar Transistors - BJT BC807-25QC-Q/SOT8009/DFN1412D-
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+20.81 грн
22+ 13.98 грн
100+ 4.95 грн
1000+ 3.04 грн
25000+ 2.18 грн
50000+ 2.05 грн
100000+ 1.72 грн
Мінімальне замовлення: 15
BC807-25QC-QZ BC807-25QC-QZ Виробник : NEXPERIA 3388610.pdf Description: NEXPERIA - BC807-25QC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807QC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+22.97 грн
48+ 15.49 грн
124+ 6.02 грн
500+ 4.38 грн
1000+ 2.92 грн
Мінімальне замовлення: 33
BC807-25QC-QZ BC807-25QC-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC807QC-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 380 mW
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній