BC807-40LVL

BC807-40LVL Nexperia


BC807L_BC807LW-1319023.pdf Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC807-40L/SOT23/TO-236AB
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 63-72 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.17 грн
20000+ 1 грн
50000+ 0.8 грн
100000+ 0.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC807-40LVL Nexperia

Description: NEXPERIA - BC807-40LVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC807L, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC807-40LVL за ціною від 1.47 грн до 10.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC807-40LVL BC807-40LVL Виробник : NEXPERIA BC807L_BC807LW.pdf Description: NEXPERIA - BC807-40LVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807L
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3 грн
1000+ 1.97 грн
5000+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC807-40LVL BC807-40LVL Виробник : NEXPERIA BC807L_BC807LW.pdf Description: NEXPERIA - BC807-40LVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807L
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
177+4.24 грн
212+ 3.53 грн
250+ 3 грн
1000+ 1.97 грн
5000+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 177
BC807-40LVL BC807-40LVL Виробник : Nexperia USA Inc. BC807L_BC807LW.pdf Description: BC807-40L/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+10.09 грн
40+ 6.94 грн
100+ 3.73 грн
500+ 2.76 грн
1000+ 1.91 грн
2000+ 1.58 грн
5000+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 29
BC807-40LVL BC807-40LVL Виробник : Nexperia bc807l_bc807lw.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BC807-40LVL BC807-40LVL Виробник : NEXPERIA bc807l_bc807lw.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BC807-40LVL BC807-40LVL Виробник : Nexperia USA Inc. BC807L_BC807LW.pdf Description: BC807-40L/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній