BC807-40QBZ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BC807-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807QB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 2.42 грн |
| 1000+ | 1.6 грн |
| 5000+ | 1.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC807-40QBZ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 460mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC807QB Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC807-40QBZ за ціною від 1.41 грн до 18.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC807-40QBZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC807-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807QB Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 9999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC807-40QBZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC807-40QB/SOT8015/DFN1110D-3 |
на замовлення 14027 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC807-40QBZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 45V 0.5A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BC807-40QBZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 45V 0.5A DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|