на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27000+ | 1.59 грн |
30000+ | 1.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC807K-40R Nexperia
Description: NEXPERIA - BC807K-40R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 350 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC807K, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC807K-40R за ціною від 1.5 грн до 17.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC807K-40R | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 800mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BC807K-40R | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC807K-40R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 350 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807K Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BC807K-40R | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC807K-40R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 350 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807K Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BC807K-40R | Виробник : NEXPERIA | 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BC807K-40R | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 800mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
BC807K-40R | Виробник : Nexperia USA Inc. | Description: BC807K-40/SOT23/TO-236AB |
товар відсутній |
||||||||||||||
BC807K-40R | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC807K-40/SOT23/TO-236AB |
товар відсутній |