Продукція > NEXPERIA > BC817-40QBH-QZ
BC817-40QBH-QZ

BC817-40QBH-QZ Nexperia


BC817QBH_Q_SER-2933441.pdf Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC817-40QBH-Q/SOT8015/DFN1110D
на замовлення 19156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.32 грн
20+ 15.28 грн
100+ 8.37 грн
1000+ 3.79 грн
5000+ 3.19 грн
10000+ 2.46 грн
25000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC817-40QBH-QZ Nexperia

Description: NEXPERIA - BC817-40QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 550mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 550mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: Produktreihe BC817QBH-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції BC817-40QBH-QZ за ціною від 2.59 грн до 20.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC817-40QBH-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC817QBH-Q_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 420 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+3.24 грн
10000+ 2.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BC817-40QBH-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC817QBH-Q_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 420 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.84 грн
21+ 13.77 грн
100+ 6.7 грн
500+ 5.25 грн
1000+ 3.64 грн
2000+ 3.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
BC817-40QBH-QZ BC817-40QBH-QZ Виробник : Nexperia bc817qbh-q_ser.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 550mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
товар відсутній
BC817-40QBH-QZ BC817-40QBH-QZ Виробник : NEXPERIA 3679916.pdf Description: NEXPERIA - BC817-40QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe BC817QBH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товар відсутній
BC817-40QBH-QZ BC817-40QBH-QZ Виробник : NEXPERIA 3679916.pdf Description: NEXPERIA - BC817-40QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 550mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe BC817QBH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товар відсутній
BC817-40QBH-QZ BC817-40QBH-QZ Виробник : Nexperia bc817qbh-q_ser.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 550mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
товар відсутній