BC846BQC-QZ Nexperia
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 2.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC846BQC-QZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BC846BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC846xQC-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC846BQC-QZ за ціною від 2.07 грн до 20.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC846BQC-QZ | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BQC-QZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846BQC-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 360 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846BQC-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC846BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846xQC-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BQC-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 360 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 29785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC846BQC-QZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC846BQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3 |
на замовлення 13880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846BQC-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC846BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846xQC-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC846BQC-QZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |