BC847BTT1G ON Semiconductor
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15958+ | 0.73 грн |
17242+ | 0.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847BTT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC847BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SC-75, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC847BTT1G за ціною від 0.97 грн до 11.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC847BTT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC847BTT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC847BTT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC847BTT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC847BTT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC847BTT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC847BTT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC75 SOT416 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC847BTT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416 Mounting: SMD Case: SOT416 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2/0.3W Frequency: 100MHz Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 150...450 Collector current: 0.1A |
на замовлення 9450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC847BTT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416 Mounting: SMD Case: SOT416 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2/0.3W Frequency: 100MHz Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 150...450 Collector current: 0.1A кількість в упаковці: 30 шт |
на замовлення 9450 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC847BTT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 55340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC847BTT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 41355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC847BTT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 55340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC847BTT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC75 SOT416 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 39719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC847BTT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN |
на замовлення 2128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC847BTT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 41355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC847BTT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive BC847BTT1G TBC847bt кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|