BC848BWT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.64 грн |
| 6000+ | 1.49 грн |
| 9000+ | 1.27 грн |
| 30000+ | 1.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC848BWT1G onsemi
Description: ONSEMI - BC848BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC848BWT1G за ціною від 0.8 грн до 11.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC848BWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 15760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC848BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 26940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC848BWT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 51442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC848BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 26940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC848BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 38180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC848BWT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN |
на замовлення 6827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC848BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 38180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC848BWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 15760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC848BWT1G | Виробник : ON |
07+ SOP |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| BC848BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 32070 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
BC848BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BC848BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BC848BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BC848BWT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 150...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BC848BWT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 150...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товар відсутній |