Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC856ALT1G
BC856ALT1G

BC856ALT1G ON Semiconductor

bc856alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856ALT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85331000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції BC856ALT1G за ціною від 0.72 грн до 9.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC856ALT1G BC856ALT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12000+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 12000
BC856ALT1G BC856ALT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.06 грн
9000+ 0.76 грн
24000+ 0.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC856ALT1G BC856ALT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.13 грн
9000+ 0.8 грн
24000+ 0.79 грн
45000+ 0.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC856ALT1G BC856ALT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9616+1.21 грн
13514+ 0.86 грн
45000+ 0.77 грн
Мінімальне замовлення: 9616
BC856ALT1G BC856ALT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.3 грн
6000+ 1.19 грн
9000+ 1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC856ALT1G BC856ALT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
160+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 160
BC856ALT1G BC856ALT1G Виробник : ONSEMI 1840529.pdf Description: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 53842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC856ALT1G BC856ALT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4602+2.54 грн
7143+ 1.63 грн
7615+ 1.53 грн
8153+ 1.38 грн
15000+ 1.19 грн
30000+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 4602
BC856ALT1G BC856ALT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 179 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+3.05 грн
160+ 1.75 грн
500+ 1.52 грн
780+ 1.25 грн
2120+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
BC856ALT1G BC856ALT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 21827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+7.2 грн
55+ 5.13 грн
100+ 2.77 грн
500+ 2.05 грн
1000+ 1.42 грн
Мінімальне замовлення: 40
BC856ALT1G BC856ALT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
78+7.46 грн
122+ 4.76 грн
130+ 4.46 грн
236+ 2.37 грн
250+ 2.17 грн
500+ 2.02 грн
1000+ 1.3 грн
3000+ 1.22 грн
6000+ 1.14 грн
Мінімальне замовлення: 78
BC856ALT1G BC856ALT1G Виробник : onsemi BC856ALT1_D-2310425.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
на замовлення 17603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+7.92 грн
61+ 5.05 грн
125+ 2.13 грн
1000+ 1.33 грн
3000+ 1.07 грн
9000+ 0.93 грн
24000+ 0.87 грн
Мінімальне замовлення: 40
BC856ALT1G BC856ALT1G Виробник : ONSEMI 1840529.pdf Description: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 53842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
82+9.11 грн
128+ 5.86 грн
269+ 2.79 грн
500+ 2.54 грн
Мінімальне замовлення: 82
BC856ALT1G Виробник : ONSEMI ONSMS38162-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC856ALT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BC856ALT1G
Код товару: 148854 		bc856alt1-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній