BC856BDW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 100032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856BDW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 380mW, MSL: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BCxxx Series, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BC856BDW1T1G за ціною від 1.43 грн до 16.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC856BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC856BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC856BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC856BDW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC856BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.3W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC856BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC856BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 183000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC856BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.3W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC856BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 57075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC856BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 380mW MSL: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 68841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC856BDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 57075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC856BDW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88/SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 69980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC856BDW1T1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP |
на замовлення 111443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC856BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 380mW MSL: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 68841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC856BDW1T1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 BC856BDW1T3G BC856BDWT1G TBC856BDW1 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|