Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC856BLT1G
BC856BLT1G

BC856BLT1G ON Semiconductor

bc856alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BLT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 300 mW.

Інші пропозиції BC856BLT1G за ціною від 0.8 грн до 8.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC856BLT1G BC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC856BLT1G BC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.1 грн
30000+ 0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC856BLT1G BC856BLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.32 грн
6000+ 1.2 грн
9000+ 1.02 грн
30000+ 0.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC856BLT1G BC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8197+1.42 грн
12000+ 1.3 грн
24000+ 1.21 грн
36000+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 8197
BC856BLT1G BC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4762+2.44 грн
7937+ 1.47 грн
8334+ 1.4 грн
8824+ 1.27 грн
15000+ 1.12 грн
30000+ 1.01 грн
Мінімальне замовлення: 4762
BC856BLT1G BC856BLT1G Виробник : ONSEMI 1840529.pdf Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 22090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC856BLT1G BC856BLT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 15903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
120+3.17 грн
255+ 1.37 грн
500+ 1.13 грн
800+ 1 грн
2200+ 0.95 грн
12000+ 0.93 грн
Мінімальне замовлення: 120
BC856BLT1G BC856BLT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15903 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+3.8 грн
155+ 1.71 грн
500+ 1.35 грн
800+ 1.2 грн
2200+ 1.14 грн
12000+ 1.11 грн
Мінімальне замовлення: 75
BC856BLT1G BC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
88+6.59 грн
121+ 4.79 грн
127+ 4.55 грн
236+ 2.36 грн
252+ 2.05 грн
500+ 1.95 грн
1000+ 1.17 грн
3000+ 1.11 грн
6000+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 88
BC856BLT1G BC856BLT1G Виробник : onsemi BC856ALT1_D-2310425.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
на замовлення 170933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+7.21 грн
62+ 4.97 грн
125+ 2.13 грн
1000+ 1.26 грн
3000+ 1 грн
9000+ 0.93 грн
24000+ 0.86 грн
Мінімальне замовлення: 44
BC856BLT1G BC856BLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 57262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+7.9 грн
54+ 5.19 грн
100+ 2.81 грн
500+ 2.07 грн
1000+ 1.44 грн
Мінімальне замовлення: 37
BC856BLT1G BC856BLT1G Виробник : ONSEMI 1840529.pdf Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 22090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
85+8.87 грн
130+ 5.74 грн
274+ 2.73 грн
500+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 85
BC856BLT1G BC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 65; Ic = 0,1; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 220 @ 2 мА, 5 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.650 @ 5 мА, 100 мА; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3
на замовлення 3110 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
678+0.92 грн
728+ 0.86 грн
785+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 678
BC856BLT1G bc856alt1-d.pdf BC856BLT1G Транзисторы
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
BC856BLT1G Виробник : On Semiconductor bc856alt1-d.pdf SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=290, -55...+150
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
BC856BLT1G bc856alt1-d.pdf BC856BLT1G Транзисторы
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)