на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20000+ | 1.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857CM,315 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC857CM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857M, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC857CM,315 за ціною від 1.7 грн до 17.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC857CM,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT883Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857CM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC857CM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857CM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857M Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857CM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857CM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857M Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857CM,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC857CM,315 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC857CM/SOT883/XQFN3 |
на замовлення 9028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC857CM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BC857CM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857CM,315 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 903039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
BC857CM,315 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BC857CM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 430mW; DFN1006-3,SOT883 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.43W Case: DFN1006-3; SOT883 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BC857CM,315 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 430mW; DFN1006-3,SOT883 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.43W Case: DFN1006-3; SOT883 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |