BC857CQBZ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BC857CQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 556+ | 1.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857CQBZ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC857CQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: -, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: DFN1110D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: -, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції BC857CQBZ за ціною від 1.34 грн до 1.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC857CQBZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857CQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: - Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 4460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
BC857CQBZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 45V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 340 mW |
товар відсутній |
|||||
|
|
BC857CQBZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 45V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 340 mW |
товар відсутній |
|||||
 |
BC857CQBZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC857CQB/SOT8015/DFN1110D-3 |
товар відсутній |