Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC858ALT1G
BC858ALT1G

BC858ALT1G ON Semiconductor

bc856alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858ALT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC858ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).

Інші пропозиції BC858ALT1G за ціною від 0.73 грн до 7.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC858ALT1G BC858ALT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.1 грн
9000+ 0.92 грн
24000+ 0.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC858ALT1G BC858ALT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9869+1.18 грн
11812+ 0.99 грн
24000+ 0.91 грн
Мінімальне замовлення: 9869
BC858ALT1G BC858ALT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.3 грн
6000+ 1.19 грн
9000+ 1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC858ALT1G BC858ALT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7854+1.49 грн
8197+ 1.42 грн
8523+ 1.37 грн
8929+ 1.26 грн
15000+ 1.12 грн
30000+ 1.03 грн
Мінімальне замовлення: 7854
BC858ALT1G BC858ALT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
160+2.5 грн
280+ 1.28 грн
500+ 1.15 грн
900+ 0.89 грн
2480+ 0.84 грн
Мінімальне замовлення: 160
BC858ALT1G BC858ALT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+3 грн
180+ 1.6 грн
500+ 1.38 грн
900+ 1.07 грн
2480+ 1.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
BC858ALT1G BC858ALT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
124+4.69 грн
193+ 3 грн
195+ 2.97 грн
411+ 1.36 грн
415+ 1.25 грн
500+ 1.18 грн
1000+ 1.13 грн
3000+ 1.09 грн
6000+ 1.04 грн
Мінімальне замовлення: 124
BC858ALT1G BC858ALT1G Виробник : ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC858ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1157500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
121+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 121
BC858ALT1G BC858ALT1G Виробник : ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC858ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 225mW
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1157500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 150
BC858ALT1G BC858ALT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 25136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+7.2 грн
55+ 5.13 грн
100+ 2.77 грн
500+ 2.05 грн
1000+ 1.42 грн
Мінімальне замовлення: 40
BC858ALT1G BC858ALT1G Виробник : onsemi BC856ALT1_D-2310425.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 7664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+7.92 грн
61+ 5.05 грн
125+ 2.13 грн
1000+ 1.33 грн
3000+ 1.07 грн
9000+ 0.8 грн
24000+ 0.73 грн
Мінімальне замовлення: 40
BC858ALT1G BC858ALT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BC858ALT1G BC858ALT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BC858ALT1G BC858ALT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BC858ALT1G BC858ALT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній