Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC858BWT1G
BC858BWT1G

BC858BWT1G ON Semiconductor

bc856bwt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 26744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15464+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 15464
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858BWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC858BWT1G за ціною від 0.7 грн до 12.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 20443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15464+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 15464
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 20443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
295+1.97 грн
428+ 1.35 грн
825+ 0.7 грн
Мінімальне замовлення: 295
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.17 грн
6000+ 1.98 грн
9000+ 1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.69 грн
527+ 1.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2223+5.25 грн
2646+ 4.41 грн
4886+ 2.39 грн
5017+ 2.24 грн
6000+ 2.02 грн
15000+ 1.89 грн
30000+ 1.83 грн
Мінімальне замовлення: 2223
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
85+8.89 грн
130+ 5.75 грн
278+ 2.69 грн
527+ 1.32 грн
Мінімальне замовлення: 85
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
53+11.1 грн
74+ 7.82 грн
116+ 4.81 грн
250+ 4.35 грн
500+ 3.51 грн
1000+ 1.9 грн
3000+ 1.85 грн
6000+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 53
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : onsemi BC856BWT1_D-2310301.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 22449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+11.58 грн
39+ 7.89 грн
100+ 3.73 грн
1000+ 2.6 грн
3000+ 2 грн
9000+ 1.6 грн
24000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 27
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 18099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.97 грн
33+ 8.6 грн
100+ 4.63 грн
500+ 3.41 грн
1000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 23
BC858BWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0000773985-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC858BWT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 15000
BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BC858BWT1G Виробник : ON bc856bwt1-d.pdf 07+;
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 150...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 150...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товар відсутній