BC858CDXV6T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 4.23 грн |
8000+ | 3.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC858CDXV6T1G onsemi
Description: TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.
Інші пропозиції BC858CDXV6T1G за ціною від 2.86 грн до 27.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC858CDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 1633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC858CDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 1633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC858CDXV6T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 10187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC858CDXV6T1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V Dual PNP |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC858CDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BC858CDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BC858CDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BC858CDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BC858CDXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.357W; SOT563 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.357W Case: SOT563 Current gain: 270...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BC858CDXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858CDXV6T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 30 V, 100 mA, 500 mW, SOT-563, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 420 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30 Wandlerpolarität: Zweifach pnp Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BC858CDXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.357W; SOT563 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.357W Case: SOT563 Current gain: 270...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товар відсутній |