Продукція > NEXPERIA > BCM857QASZ
BCM857QASZ

BCM857QASZ NEXPERIA

2787518.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCM857QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 350mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.14 грн
500+ 7.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCM857QASZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BCM857QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 350mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A.

Інші пропозиції BCM857QASZ за ціною від 5.96 грн до 30.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCM857QASZ BCM857QASZ Виробник : Nexperia bcm857qas.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 6860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1402+8.33 грн
1426+ 8.19 грн
1451+ 8.05 грн
1477+ 7.62 грн
1504+ 6.93 грн
3000+ 6.54 грн
6000+ 6.42 грн
Мінімальне замовлення: 1402
BCM857QASZ BCM857QASZ Виробник : Nexperia bcm857qas.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 6860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+10.69 грн
75+ 7.73 грн
100+ 7.33 грн
250+ 6.67 грн
500+ 6.29 грн
1000+ 6.18 грн
3000+ 6.07 грн
6000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 55
BCM857QASZ BCM857QASZ Виробник : NEXPERIA 2787518.pdf Description: NEXPERIA - BCM857QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 350mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+19.12 грн
56+ 13.45 грн
100+ 8.14 грн
500+ 7.42 грн
Мінімальне замовлення: 40
BCM857QASZ BCM857QASZ Виробник : Nexperia USA Inc. BCM857QAS.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 0.1A DFN1010B-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.09 грн
14+ 20.88 грн
100+ 12.52 грн
500+ 10.88 грн
1000+ 7.4 грн
2000+ 6.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
BCM857QASZ BCM857QASZ Виробник : Nexperia BCM857QAS-1370684.pdf Bipolar Transistors - BJT BCM857QAS/SOT1216/DFN1010B-6
на замовлення 25852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.38 грн
15+ 20.45 грн
100+ 10.92 грн
1000+ 6.79 грн
5000+ 6.66 грн
10000+ 6.13 грн
25000+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
BCM857QASZ BCM857QASZ Виробник : NEXPERIA bcm857qas.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 6-Pin DFN-B EP T/R
товар відсутній
BCM857QASZ BCM857QASZ Виробник : Nexperia bcm857qas.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R
товар відсутній
BCM857QASZ Виробник : NEXPERIA BCM857QAS.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 230mW; DFN1010B-6,SOT1216
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: DFN1010B-6; SOT1216
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 175Hz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BCM857QASZ BCM857QASZ Виробник : Nexperia USA Inc. BCM857QAS.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 0.1A DFN1010B-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BCM857QASZ Виробник : NEXPERIA BCM857QAS.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 230mW; DFN1010B-6,SOT1216
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: DFN1010B-6; SOT1216
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 175Hz
товар відсутній