на замовлення 13434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2298+ | 5.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP53,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BCP53,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 145MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BCP53,115 за ціною від 3.39 грн до 104.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BCP53,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 62000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 62000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP53,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 650mW; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.65W Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 145MHz |
на замовлення 1319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 650mW; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.65W Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 145MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1319 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 12886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 13434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53,115 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCP53/SOT223/SC-73 |
на замовлення 8886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP53,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53,115 | Виробник : NXP | Транз. Бипол. ММ PNP SOT223 Uceo=-80V; Ic=-1A; f=115MHz; Pdmax=1,3W; hfe=40/250 |
на замовлення 35 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53,115 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1; Uceo, В = 80; Ic = 1 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 145; hFE = 63 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-223 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53,115 | BCP53,115 Транзисторы |
на замовлення 9708 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BCP53,115 | Виробник : NXP Semiconductors | PNP SOT-223 80V 1A |
на замовлення 59 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BCP53,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP53,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BCP53,115 | Виробник : NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BCP53,115 | Виробник : NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товар відсутній |