BCP55-10,115 NEXPERIA
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 3.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP55-10,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 640mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP55, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BCP55-10,115 за ціною від 4.06 грн до 35.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCP55-10,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BCP55-10,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BCP55-10,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BCP55-10,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BCP55-10,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BCP55-10,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W |
на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BCP55-10,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BCP55-10/SOT223/SC-73 |
на замовлення 5735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BCP55-10,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BCP55-10,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
BCP55-10,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.65W; SC73,SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 0.65W Case: SC73; SOT223 Pulsed collector current: 2A Current gain: 63...160 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...180MHz кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BCP55-10,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.65W; SC73,SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 0.65W Case: SC73; SOT223 Pulsed collector current: 2A Current gain: 63...160 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...180MHz |
товар відсутній |