BCP56-16T3G ON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 8.09 грн |
| 8000+ | 7.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP56-16T3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BCP56-16T3G за ціною від 6.24 грн до 30.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCP56-16T3G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCP56-16T3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCP56-16T3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCP56-16T3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCP56-16T3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 16987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCP56-16T3G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN |
на замовлення 30784 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCP56-16T3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BCP56-16T3G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,5; Uceo, В = 80; Ic = 1 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 130; hFE = 100 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-223 |
на замовлення 94 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BCP56-16T3G | Виробник : On Semiconductor |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 130MHz 1.5 W Surface Mount SOT-223 (TO-261) |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
BCP56-16T3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BCP56-16T3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BCP56-16T3G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BCP56-16T3G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz |
товар відсутній |