BCR562E6327HTSA1

BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies


bcr562.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 330 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms.

Інші пропозиції BCR562E6327HTSA1 за ціною від 4.18 грн до 27.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr562.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr562.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 18000
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr562.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a37301144082f4ed030d Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.72 грн
6000+ 5.38 грн
9000+ 4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr562.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr562.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a37301144082f4ed030d Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 15086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.87 грн
16+ 17.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BCR562_DS_v01_01_en-1731105.pdf Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.36 грн
16+ 19.4 грн
100+ 13.88 грн
1000+ 12.42 грн
3000+ 4.92 грн
9000+ 4.52 грн
24000+ 4.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
BCR562E6327HTSA1 Виробник : Infineon bcr562.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a37301144082f4ed030d PNP 500mA 50V 330mW 150MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR562 TBCR562
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
BCR562E6327HTSA1 Виробник : Infineon bcr562.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a37301144082f4ed030d PNP 500mA 50V 330mW 150MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR562 TBCR562
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr562.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327HTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES bcr562.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a37301144082f4ed030d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327HTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES bcr562.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a37301144082f4ed030d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
товар відсутній