на замовлення 8745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 16.67 грн |
| 27+ | 11.44 грн |
| 100+ | 6.28 грн |
| 1000+ | 2.8 грн |
| 2500+ | 2.4 грн |
| 10000+ | 1.87 грн |
| 20000+ | 1.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW29,235 Nexperia
Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 250 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BCW29,235
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
BCW29,235 Код товару: 175652 |
 Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
|||
 |
BCW29,235 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|
 |
BCW29,235 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW29,235 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB (SOT-23) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage hazardous: false Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
|
 |
BCW29,235 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |