BCW30LT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 215...500
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 215...500
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 11175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
125+ | 2.86 грн |
375+ | 2.19 грн |
1025+ | 2.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW30LT1G ONSEMI
Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 300 mW.
Інші пропозиції BCW30LT1G за ціною від 1.06 грн до 17.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
+1 |
BCW30LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 215...500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 11175 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BCW30LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BCW30LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BCW30LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BCW30LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 25823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BCW30LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 25823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BCW30LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 23800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BCW30LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 12377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BCW30LT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V PNP |
на замовлення 5251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BCW30LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
BCW30LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
BCW30LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
BCW30LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
PNP 100mA 32V 250mW 100MHz BCW30,215, BCW30LT1G BCW30 smd TBCW30 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BCW30LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BCW30LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |