BCW32LT1G ON Semiconductor
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW32LT1G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 225 mW.
Інші пропозиції BCW32LT1G за ціною від 1.14 грн до 15.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW32LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW32LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW32LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: No Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW32LT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN |
на замовлення 10617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW32LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: No Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW32LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 37065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW32LT1G | Виробник : ONSEMI | BCW32LT1G NPN SMD transistors |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |