BCW33LT3G ON Semiconductor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 1.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW33LT3G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 300 mW.
Інші пропозиції BCW33LT3G за ціною від 1.23 грн до 13.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BCW33LT3G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW33LT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW33LT3G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Current gain: 420...800 Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 32V |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW33LT3G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Current gain: 420...800 Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 32V кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW33LT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 136709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW33LT3G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN |
на замовлення 2528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW33LT3G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BCW33LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW33LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 840000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW33LT3G Код товару: 183750 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|