BCW61C,215 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW61C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BCW61C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW61C,215 NEXPERIA
Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 250 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BCW61C,215 за ціною від 1.86 грн до 19.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BCW61C,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40...460 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW61C,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW61C,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW61C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW61C,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40...460 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 475 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW61C,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW61C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW61C,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW61C,215 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW61C/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 19600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW61C,215 | BCW61C,215 Транзисторы |
на замовлення 5078 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BCW61C,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BCW61C,215 | Виробник : NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |