Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BCW66GLT1G
BCW66GLT1G

BCW66GLT1G ON Semiconductor

bcw66glt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCW66GLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BCW66GLT1G за ціною від 0.9 грн до 12.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCW66GLT1G BCW66GLT1G Виробник : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
271+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 271
BCW66GLT1G BCW66GLT1G Виробник : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7813+1.49 грн
7895+ 1.48 грн
9375+ 1.24 грн
30000+ 1.19 грн
75000+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 7813
BCW66GLT1G BCW66GLT1G Виробник : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.52 грн
6000+ 1.5 грн
9000+ 1.26 грн
30000+ 1.21 грн
75000+ 0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BCW66GLT1G BCW66GLT1G Виробник : onsemi bcw66glt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.9 грн
6000+ 1.73 грн
9000+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BCW66GLT1G BCW66GLT1G Виробник : ONSEMI bcw66glt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
175+2.49 грн
200+ 1.87 грн
500+ 1.66 грн
575+ 1.41 грн
1575+ 1.34 грн
Мінімальне замовлення: 175
BCW66GLT1G BCW66GLT1G Виробник : ONSEMI bcw66glt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+2.99 грн
125+ 2.33 грн
500+ 1.99 грн
575+ 1.69 грн
1575+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
BCW66GLT1G BCW66GLT1G Виробник : ONSEMI 2354268.pdf Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
BCW66GLT1G BCW66GLT1G Виробник : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
59+9.94 грн
82+ 7.1 грн
83+ 7.02 грн
84+ 6.68 грн
166+ 3.12 грн
250+ 2.71 грн
500+ 2.69 грн
1000+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 59
BCW66GLT1G BCW66GLT1G Виробник : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+10.66 грн
75+ 7.73 грн
82+ 7.13 грн
170+ 3.3 грн
250+ 3.02 грн
500+ 2.87 грн
1000+ 1.72 грн
Мінімальне замовлення: 55
BCW66GLT1G BCW66GLT1G Виробник : onsemi bcw66glt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 22081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.53 грн
38+ 7.49 грн
100+ 4.06 грн
500+ 2.99 грн
1000+ 2.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
BCW66GLT1G BCW66GLT1G Виробник : onsemi BCW66GLT1_D-2310274.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V
на замовлення 124314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+11.58 грн
40+ 7.81 грн
100+ 3.13 грн
1000+ 1.8 грн
3000+ 1.53 грн
9000+ 1.2 грн
99000+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 27
BCW66GLT1G BCW66GLT1G Виробник : ONSEMI 2354268.pdf Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
63+12.03 грн
88+ 8.52 грн
192+ 3.89 грн
500+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 63
BCW66GLT1G BCW66GLT1G Виробник : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BCW66GLT1G Виробник : ONSEMI ONSMS25903-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BCW66GLT1G BCW66GLT1G Виробник : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BCW66GLT1G
Код товару: 173997 		bcw66glt1-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній