BD13516STU onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 50.3 грн |
60+ | 39.89 грн |
120+ | 28.95 грн |
540+ | 22.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD13516STU onsemi
Description: ONSEMI - BD13516STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BD135, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BD13516STU за ціною від 16.01 грн до 61.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BD13516STU | Виробник : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 4964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD13516STU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD13516STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BD135 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD13516STU | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BD13516STU | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BD13516STU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO Case: TO126ISO Mounting: THT Kind of package: tube Current gain: 100...250 Power dissipation: 1.25W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Collector current: 1.5A Collector-emitter voltage: 45V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BD13516STU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO Case: TO126ISO Mounting: THT Kind of package: tube Current gain: 100...250 Power dissipation: 1.25W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Collector current: 1.5A Collector-emitter voltage: 45V |
товар відсутній |