BD13810STU Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1.5A,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 4719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1302+ | 15.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD13810STU Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.25 W.
Інші пропозиції BD13810STU за ціною від 11.58 грн до 43.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD13810STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD13810STU | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Case: TO126ISO Mounting: THT Kind of package: tube Current gain: 63...160 Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Collector current: 1.5A Collector-emitter voltage: 60V |
на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD13810STU | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Case: TO126ISO Mounting: THT Kind of package: tube Current gain: 63...160 Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Collector current: 1.5A Collector-emitter voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1385 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD13810STU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD13810STU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BD13810STU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD13810STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
BD13810STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
товар відсутній |