BD13916S

BD13916S onsemi / Fairchild


BD139_D-2310463.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 2724 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.68 грн
10+ 33.54 грн
100+ 21.72 грн
500+ 17.14 грн
1000+ 14.22 грн
2000+ 12.02 грн
10000+ 10.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD13916S onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - BD13916S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BD13916S за ціною від 36.36 грн до 43.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BD13916S BD13916S Виробник : ONSEMI 2299531.pdf Description: ONSEMI - BD13916S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+43.74 грн
21+ 36.36 грн
Мінімальне замовлення: 18
BD13916S BD13916S Виробник : ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
товар відсутній
BD13916S BD13916S Виробник : ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BD13916S BD13916S Виробник : ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
товар відсутній
BD13916S BD13916S Виробник : onsemi BD135,137,139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
товар відсутній
BD13916S BD13916S Виробник : ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
товар відсутній