Продукція > MULTICOMP PRO > BD179
BD179

BD179 MULTICOMP PRO

2861462.pdf Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD179 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+65.07 грн
15+ 51.99 грн
100+ 37.13 грн
500+ 24.14 грн
1000+ 15.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD179 MULTICOMP PRO

Description: TRANS NPN 80V 3A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 30 W.

Інші пропозиції BD179

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BD179 bd179-d.pdf BD179.pdf
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BD179 BD179
Код товару: 81888 		bd179-d.pdf BD179.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 3 MHz
Uceo,V: 80 V
Ic,A: 3 А
h21: 100
Монтаж: THT
товар відсутній
BD179 BD179 Виробник : STMicroelectronics 3718cd00000935.pdf Trans GP BJT NPN 80V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товар відсутній
BD179 BD179 Виробник : onsemi bd179-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
товар відсутній
BD179 BD179 Виробник : STMicroelectronics BD179.pdf Description: TRANS NPN 80V 3A SOT32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2V, 1A
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
товар відсутній
BD179 BD179 Виробник : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00000935-1204657.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpose Sw
товар відсутній
BD179 BD179 Виробник : onsemi BD179_D-2310429.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN
товар відсутній