BD179G ON Semiconductor
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD179G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD179G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BD179G за ціною від 26.97 грн до 26.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BD179G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - BD179G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| BD179G | Виробник : On Semiconductor |
TO-126 PBF |
на замовлення 266 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||
.JPG "BD179G") |
BD179G Код товару: 82107 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
||||||
 |
BD179G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||
 |
BD179G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 30W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 3A Power dissipation: 30W Case: TO225 Current gain: 63...160 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
 |
BD179G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 3A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 30 W |
товар відсутній |
|||||
 |
BD179G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN |
товар відсутній |
|||||
|
|
BD179G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 30W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 3A Power dissipation: 30W Case: TO225 Current gain: 63...160 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz |
товар відсутній |