Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BD180G
BD180G

BD180G ON Semiconductor

bd180-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+36.34 грн
17+ 34.38 грн
Мінімальне замовлення: 16
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD180G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції BD180G за ціною від 19.51 грн до 72.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BD180G BD180G Виробник : onsemi bd180-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.23 грн
10+ 50.85 грн
100+ 35.18 грн
500+ 27.59 грн
1000+ 23.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
BD180G BD180G Виробник : onsemi BD180_D-2310580.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W PNP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.73 грн
10+ 56.44 грн
100+ 34.1 грн
500+ 28.37 грн
1000+ 21.51 грн
5000+ 20.31 грн
10000+ 19.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
BD180G BD180G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+72.01 грн
13+ 59.91 грн
100+ 42.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
BD180G BD180G Виробник : ON Semiconductor bd180-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BD180G BD180G Виробник : ON Semiconductor bd180-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
BD180G BD180G Виробник : ON Semiconductor 611bd180-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
BD180G BD180G Виробник : ONSEMI bd180-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 3A; 30W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power: 30W
Case: TO126
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
товар відсутній