BD436STU ON Semiconductor
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 60.09 грн |
| 12+ | 52.19 грн |
| 100+ | 39.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD436STU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD436STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BD436, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції BD436STU за ціною від 32.48 грн до 71.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD436STU | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - BD436STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 4 A, 36 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BD436 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BD436STU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 1227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| BD436STU |
|
на замовлення 1900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
BD436STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
BD436STU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 32V 4A TO126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 36 W |
товар відсутній |