Продукція > ONSEMI > BD810
BD810

BD810 onsemi

bd809-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 1.5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 90 W
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1158+17.3 грн
Мінімальне замовлення: 1158
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD810 onsemi

Description: TRANS PNP 80V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V, Frequency - Transition: 1.5MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 90 W.

Інші пропозиції BD810 за ціною від 23.91 грн до 23.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BD810 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0005942458-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD810 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1400+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BD810 bd809-d.pdf
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BD810 BD810 Виробник : onsemi bd809-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 1.5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 90 W
товар відсутній
BD810 BD810 Виробник : onsemi BD809_D-2310515.pdf Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 90W PNP
товар відсутній