Технічний опис BDV65A PHI
Description: TRANS NPN 80V 12A TO218, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-218-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V, Frequency - Transition: 60MHz, Supplier Device Package: TO-218, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 125 W.
Інші пропозиції BDV65A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BDV65A | Виробник : Central Semiconductor Corp |
 Description: TRANS NPN 80V 12A TO218Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-218 Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 125 W |
товар відсутній |
||
| BDV65A | Виробник : Bourns |
Darlington Transistors 125W 12A NPN |
товар відсутній |
||
| BDV65A | Виробник : Central Semiconductor |
Central Semiconductor |
товар відсутній |