BFR106,215 NXP
Виробник: NXPDescription: NXP - BFR106,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 500 mW, 100 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 80hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR106,215 NXP
Description: NXP - BFR106,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 500 mW, 100 mA, SOT-23, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 80hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції BFR106,215
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BFR106,215 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFR106,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 500 mW, 100 mA, SOT-23 tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
BFR106,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 15V 0.1A 500mW 3-Pin TO-236AB T/R |
товар відсутній |
|
 |
BFR106,215 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 9V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|
|
|
BFR106,215 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 9V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Obsolete |
товар відсутній |